Рәсем: IVWorks инженеры плазма чыганагын җитештерү масштабындагы гибрид MBE системасында урнаштыру өчен калибрлый, югары бер төрлелек һәм югары сыйфатлы GaN эпитаксиаль үсешен тәэмин итә.
Көньяк Кореянең Тэджон шәһәрендәге IVWorks Co Ltd компаниясенең патентланган reGaN сайлап яңадан үстерү технологиясен үз эченә алган галлий нитриды (GaN) югары электронлы мобиль транзисторы (HEMT) дөньядагы беренче GaN транзисторы булып, максималь тирбәнеш ешлыгына иреште (fмакс) 700 ГГц тан артык. Бу Кёнгпук милли университетының электроника инженериясе мәктәбендә профессор Дэ-хён Кимның тикшеренү төркеме тарафыннан эшләнгән 45 нм GaN HEMT җайланмасы аша күрсәтелде һәм 18 июньдә АКШның Гавайи штатының Гонолулу шәһәрендә узган VLSI технологияләре һәм схемалары буенча 2026 IEEE/JSAP симпозиумында тәкъдим ителде.
Тикшеренү төркеме 45 нм капка озынлыгындагы GaN транзисторын ясады һәм рекордлы f күрсәткеченә иреште.макс742 ГГц ешлыктагы GaN транзистор технологиясендә RF эшчәнлеге өчен яңа эталон булдырды. Җайланма шулай ук 497 ГГц рекордлы уртача ешлык метрикасына (favg) иреште, бу бүгенге көнгә кадәр теләсә нинди GaN транзистор технологиясе өчен хәбәр ителгән иң югары күрсәткеч. Бу нәтиҗәләр GaN ярымүткәргечләренең хәтта ультра югары ешлык режимында да җитәрлек көндәшлеккә сәләтле булуын һәм киләчәктә субтерагерц һәм терагерц электрон системалары өчен яраклы платформа булып хезмәт итә алуын күрсәтә, ди IVWorks.
Индий фосфиды (InP) нигезендәге транзисторлар, электрон ташуның гаҗәеп үзлекләре аркасында, терагерцтан түбән ешлык режимында озак вакыт өстенлек итсәләр дә, аларның чагыштырмача түбән җимерелү көчәнеше чыгыш көчен һәм системаның масштаблануын чикли. Киресенчә, GaN югары җимерелү электр кыры, югары куәт тыгызлыгы һәм җылылык ныклыгының уникаль комбинациясен тәкъдим итә, бу аларны киләсе буын югары ешлыклы һәм югары куәтле кушымталар өчен җәлеп итүчән кандидатлар итә. Ләкин, GaN белән ультра югары ешлыклы эшчәнлеккә ирешү зур кыенлык булып кала. Бу чикләүләрне җиңү өчен, тикшеренү төркеме югары ешлыклы эшчәнлекне максимальләштерү өчен алдынгы 45 нм капка процессын һәм оптимальләштерелгән җайланма архитектурасын кулланды.
IVWorks компаниясенең reGaN сайлап үстерелгән технологиясе төп мөмкинлек бирде. IVWorks тарафыннан гына эшләнгән reGaN, чыганак һәм агым өлкәләрендә нык кушылган n-типтагы GaNны сайлап үстерә, контакт каршылыгын сизелерлек киметә. Бу тикшеренүдә берлектәге тикшеренү партнеры буларак, IVWorks бөтен 4 дюймлы пластина буенча процессның бик яхшы бердәмлеген күрсәтте һәм гаҗәеп кабатланучанлыкка иреште. Моннан тыш, фирма кабат үстерелгән интерфейс каршылыгын киметте (Rинт) 0,027Ω-мм га кадәр, тиешле йөртүче концентрациясендә ирешеп була торган теоретик чиккә якынлаша.
"Бу тикшеренү GaN HEMTларның RF эшчәнлек чикләрен яңа дәрәҗәгә күтәрә һәм дөньяда беренче тапкыр 700 ГГц тан артык ешлыклы GaN HEMT демонстрациясе аша ультра югары ешлыклы кушымталар өчен GaN ярымүткәргечләренең потенциалын күрсәтә", - ди профессор Дэ-хён Ким. "Бу тикшеренү, бигрәк тә, сәнәгатьтән алдынгы эпитаксиаль үсеш һәм яңадан үсеш технологияләрен университетның җайланмалар һәм схемалар тикшеренүләрендәге тәҗрибәсе белән берләштергән сәнәгать-академик хезмәттәшлекнең уңышлы мисалы буларак әһәмиятле", - дип өсти ул.
"Бу казанышка нигезләнеп, без 6G элемтәсе һәм алдынгы оборона технологияләре өчен терагерц ешлыклы кушымталарга юнәлтелгән киләсе буын GaN электрон җайланмаларын эшләүне тагын да тизләтергә планлаштырабыз."
IVWorks әйтүенчә, бу казаныш GaN технологиясенең традицион RF һәм көч электроникасыннан тыш, терагерцтан түбән һәм терагерц ешлыклы яңа кушымталарга, шул исәптән 6G элемтәсенә, алдынгы радар системаларына, юлдаш элемтәсенә һәм киләсе буын оборона электроникасына да киңәю мөмкинлеген тагын да арттыра.
«reGaN - зур кою заводында сыйфат квалификациясен узган һәм күләмле җитештерү өчен кулланылган төп технология», - ди IVWorks компаниясенең генераль директоры Янг-кюн Но. «Бу казаныш безнең гибрид-MBE нигезендәге reGaN платформасының җитештерүгә генә түгел, ә киләсе буын субтерагерц һәм терагерцлы GaN электроникасы өчен төп мөмкинлек бирүче технология булуын күрсәтә», - дип өсти ул. «IVWorks технологиясенең дөньякүләм тикшеренү этабына өлеш кертүен күрүебез белән горурланабыз».
Бастырылган вакыты: 2026 елның 6 июле